特讯热点！三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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谢天笑出院报平安：感谢粉丝关心，有望10月底回归舞台！

北京 – 著名摇滚歌手谢天笑，于近日在石家庄巡演时意外受伤，经过医治后已于近日顺利出院。经纪公司透露，谢天笑的康复情况比预期顺利，预计将在10月底恢复演出。

据了解，谢天笑是在10月3日晚，石家庄站巡演中意外受伤的。当时，他在舞台上表演时不慎坠落，造成肋骨骨折等多处受伤。事发后，谢天笑被立即送往医院接受治疗。

经过近一个月的治疗和休养，谢天笑的伤势已经基本痊愈。出院时，谢天笑精神状态良好，并通过经纪公司向一直关心他的粉丝们表达了感谢。

谢天笑表示，这次意外让他深刻意识到舞台安全的的重要性。他呼吁演出主办方和场馆要严格遵守安全规范，并提醒所有演出人员要注意安全，保护自己。

同时，谢天笑也透露了接下来的工作计划。他表示，将在10月底恢复演出，并继续他的音乐创作和巡演。

谢天笑的回归，无疑是对于广大歌迷来说的一个好消息。相信在经过这次休整之后，他将带着更加饱满的热情和更加精彩的作品，重新回到舞台，与歌迷们一起分享音乐的魅力。

让我们期待谢天笑的早日回归，也祝愿他未来一切顺利！